台湾专利TW201314964A 發光裝置封裝件

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专利摘要:
本發明揭露一種發光裝置封裝件。該發光裝置封裝件包含一本體部，該本體部內有一空腔、一發光晶片在該空腔中、一覆蓋部以覆蓋該空腔、以及一光轉換部提供在該覆蓋部的下表面上，且同時與該發光晶片間隔開。
公开号:TW201314964A
申请号:TW101128428
申请日:2012-08-07
公开日:2013-04-01
发明作者:Seung-Ryong Park
申请人:Lg Innotek Co Ltd；
IPC主号:H01L33-00

专利说明:
發光裝置封裝件
本發明主張關於2011年09月15日所申請的南韓專利案號10-2011-0092868的優先權，並在此以引用的方式併入本文中，以作為參考。
本發明係關於一種發光裝置封裝件。
近年來，在全球已展開探索與研究之製造氮化鎵(GaN)基白光發光二極體(LED)的方法係主要分類成兩種方法，其中一獲得白光的方法為以單一晶片形式，藉由結合螢光材料在一藍光LED晶片或一紫外光(UV)LED晶片，而另一種獲得白光的方法為以多晶片形式藉由結合兩或三個LED晶片。
透過多晶片形式實現一白光LED的代表方法為將三個RGB晶片結合在一起。根據該方法，在每一晶片中，呈現不規律的工作電壓，且每一晶片的輸出根據周圍的溫度而變化，因此改變了顏色座標。
由於上述問題，多晶片形式適用於特別的照明領域，其需藉由透過一電路結構來調整每一LED的強度以實現各種顏色來取代白光LED。
因此，為了實現白光LED，以易於製造且表現出優越效率的藍光LED和由藍光LED噴出(pump)的一螢光粉以發出黃光作結合的一二元系統(binary system)為典型的使用代表。
該二元系統主要採用一白光LED，該白光LED係藉由使用藍光LED作為一噴出光源(pumping light source)且噴出由Ce3+所活化的一釔鋁石榴石(YAG)螢光粉來實現，也就是，藉由從藍光LED所輸出的光的一YAG：Ce螢光粉。而釔鋁石榴石(YAG)螢光粉為一三價(trivalent)稀土元素。
此外，白光LED係經封裝且根據其應用領域使用在各種的形式。一般而言，白光LED主要用於一超微尺寸LED裝置以及一垂直燈光型LED裝置。該超微尺寸LED裝置具有表面黏著元件(SMD)，其可在一行動電話發出背光，而該垂直燈光型LED裝置用於電子看板和固態顯示裝置或影像顯示器。
同時，用來分析白光特性的指數包含一相關色溫色溫(CCT)以及一現色性指數(CRI)。
CCT係指：一黑色物體的溫度在假設該黑色物體溫度與一物體的溫度相符的狀態，當從該物體發射出之可見光的顏色似乎與從該黑色物體發射出的顏色相符時。當色溫增加時，將呈現出一燦爛藍白色(dazzling bluish white color)。
換句話說，具有低色溫的白光係表達溫暖，而具有高色溫的白光表達寒冷。因此，藉由調整色溫，白光能滿足需要各種顏色之特別照明領域的特性。
根據習知技術，使用YAG：Ce螢光粉的白光LED僅表現出6000K至8000K的色溫。此外，CRI表現出一物體當日光照射到該物體及當其它人工照明照射到該物體時的顏色差異。當人工照明照射到該物體時的顏色與日光照射到該物體的顏色相同時，CRI係定義為100。換句話說，CRI為一種指數，其表現出物體顏色在人工照明與日光照明下之顏色的近似程度，且具有0至100的一數值。
換句話說，在CRI接近100的白色光源下，可使一物體的顏色與在日光之下肉眼所查覺的顏色近乎相同。
近來，當超過80之CRI的白熾燈與CRI超過75的螢光燈比較時，已商業化之白光LED呈現出約70至約75的CRI。
因此，採用根據習知技術之YAG：Ce螢光粉的白光LED呈現出相對低的CCT和相對低的CRI。
此外，由於僅使用YAG：Ce螢光粉，因此可能難以調整顏色座標、CCT、以及CRI。
關於採用如上所述之螢光粉的發光二極體已揭露於韓國公開號No.10-2005-0098462。
本發明實施例提供一種發光裝置封裝件，其能被簡單製造，且能表現出改善的可靠度和耐用性。
本發明實施例提供一種發光裝置封裝件，其包含一本體部，該本體部內具有一空腔；一發光晶片在該空腔內；一覆蓋部以覆蓋該空腔；以及一光轉換部提供在該覆蓋部的下表面同時與該發光晶片間隔開。
本發明實施例提供一種發光裝置封裝件，其包含一發光晶片；一熱傳導層在該發光晶片上；一絕熱層(adiabatic layer)提供在該熱傳導層上表現出低於該熱傳導層的熱傳導性；一光轉換部在該絕熱層上；以及一散熱部與該熱傳導層連接。
本發明實施例提供一種發光裝置封裝件，其包含一發光晶片；一第一熱傳導層在該發光晶片上；一第一絕熱層在該第一熱傳導層上；一第二熱傳導層在該第一絕熱層上；一第二絕熱層在該第二熱傳導層上；以及一光轉換部在該第二絕熱層上。
如上所述，根據本發明實施例的發光裝置封裝件，該光轉換部係提供在該覆蓋部的下表面上。此外，該光轉換部係與該發光晶片間隔開。換句話說，在該光轉換部提供在該覆蓋部的下表面之後，該覆蓋部得以粘著至該本體部。
換句話說，該光轉換部形成在該覆蓋部上而非直接形成在該本體部中。在此例中，該覆蓋部的下表面可為平的。該光轉換部得以容易地形成在一平的表面上。舉例而言，該光轉換部係印製在一透明板上，且該透明板可切割成複數個覆蓋部。該些覆蓋部可粘著至該本體部。
因此，根據實施例的發光裝置封裝件得以容易製造，且無需注入該光轉換部至該空腔的製程。
此外，由於該光轉換部與該發光晶片間隔開，從該發光晶片發出的熱得以防止被被傳輸至該光轉換部。特別是，從該發光晶片產生的熱得以藉由一熱傳導層和一絕熱層在一側方向被排出。
因此，根據實施例的發光裝置封裝件得以防止該光轉換部因熱而變質。因此，根據實施例的發光裝置封裝件得以表現出改善的可靠度和改善的耐用性。
在實施例的描述中，應被理解，當一基板、一層、一膜、或一電極在另一基板、另一層、另一膜、或另一電極之“之上”或”之下方”時，其可以”直接地”或”間接地”在另一基板、另一層(或膜)、區域、墊片、或圖案，或者可出現一或更多的中介層。每一層的位置如圖式中所說明。在圖式中，顯示的每一元件的尺寸，為清楚說明，而可能被誇大、省略或示意性繪示。此外，元件的尺寸並未反應實施尺寸。
圖1繪示根據實施例之一發光二極體封裝件的示意圖。圖2為沿著圖1中線A-A’的剖視圖。
參閱圖1和圖2，根據實施例之一發光二極體封裝件包含一本體部100、引線電極210、220、一發光晶片300、一光轉換部400、以及一覆蓋部500。
本體部100可包含一樹脂材料，例如環氧樹脂或聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、一陶瓷材料、一液晶聚合物(LCP)、對排聚合物(syndiotactic,SPS)、聚亞(poly)(亞苯基醚(phenylene ether,PPS)、以及一矽材中之一者。然而，本體部100的材料並不限定於此。
本體部100包含一空腔C，該空腔C具有一開放上部。空腔C可藉由對本體部100進行一圖案化製程、一沖壓製程、一切割製程、或一蝕刻製程而形成。此外，空腔C可在當本體部100被鑄模(molded)時，藉由具有空腔C形狀的一金屬鑄造(metallic cast)而形成。
空腔C可為一杯狀或一凹形容器狀。此外，空腔C的表面可為圓形、多邊形、或任意形狀，但實施例並不限定於此。
在考量根據實施例之發光二極體(LED)的光分佈角度下，空腔C的內側邊可垂直於空腔C的下表面或可對空腔C的下表面呈傾斜。
本體部100可包含一基部110以及一外壁120。
基部110支撐外壁120。此外，基部110支撐引線電極210、220。基部110可為一長方體直角平行六面體狀(rectangular parallelepiped shape)。
外壁120設置在基部100上。空腔C係藉由外壁120來界定。換句話說，空腔C為一凹槽形成在外壁120中。外壁120圍繞著空腔C。於俯視時，外壁120可為一封閉狀。舉例而言，外壁120可具有圍繞空腔C的壁狀。
外壁120包含一上表面、一外側邊、以及一內側邊。該內側邊相對於該上表面呈傾斜。
一反射層可形成在空腔C的內側邊上。換句話說，表現出高反射效應的材料，例如白色光防焊(PSR)油墨、銀(Ag)、或鋁(Al)可塗佈或施加至外壁120的內側邊上。因此，根據實施例之發光二極體封裝件的發光效率得以被改善。
引線電極210、220可與本體部100形成一體。詳細而言，該兩引線電極210、220可設置在一本體部中。引線電極210、220可以一引線架來實現，但實施例並不限定於此。
引線電極210、220係提供在本體部100中。引線電極210、220可被提供在空腔C的下表面上同時彼此電性絕緣。引線電極210、220的外部可暴露在本體部100之外。詳細而言，引線電極210、220係提供在基部110中。
引線電極210、220的端部可提供在空腔C的一側邊或空腔C的相對側邊。
引線電極210、220可提供在該引線架中。該引線架可在當本體部100透過注射成型形成時而形成。舉例而言，引線電極210、220可包含一第一引線電極210以及一第二引線電極220。
第一引線電極210係與第二引線電極220間隔開。第一和第二引線電極210、220可電性連接發光晶片300。
發光晶片300係提供在空腔C中。發光晶片300作為一發光部以發出光線。詳細而言，發光晶片300可包含一發光二極體晶片以發出光線。舉例而言，發光晶片300可包含一彩色LED晶片或一UV LED晶片。一發光晶片300可被提供在一空腔C中。
發光晶片300可為一垂直型發光二極體晶片。發光晶片300可包含一導電基板、一反射層130、一第一導電型半導體層、一第二導電型半導體層、一主動層、以及一第二電極。
該導電基板包含一傳導體(conductor)。該導電基板支撐反射層130、該第一導電型半導體層、該第二導電型半導體層、該主動層、以及該第二電極。
該導電基板係透過反射層130而連接該第一導電型半導體層。換句話說，該導電基板係為一第一電極以提供一電氣訊號至該第一導電型半導體層。
反射層130係提供在該導電基板上。反射層130將主動層發出的光向上反射。此外，反射層130係為一導電層。因此，反射層130連接該導電基板至該第一導電型半導體層。構成反射層130的材料可包含金屬，例如：銀(Ag)或鋁(Al)。
第一導電型半導體層係提供在反射層130上。該第一導電型半導體層具有一第一導電型。該第一導電型半導體層可包含一N型半導體層。舉例而言，該第一導電型半導體層可包含一N型GaN層。
該第二導電型半導體層係提供在該第一導電型半導體層上。該第二導電型半導體層面對該第一導電型半導體層，且可包含一P型半導體層。舉例而言，該第二導電型半導體層可包含一P型GaN層。
該主動層係插設在該第一和該第二導電型半導體層之間。該主動層具有一單量子井結構或一多重量子井結構。該主動層可形成在一InGaN井層和一AlGaN屏障層的堆疊結構、一InGaN井層和一GaN屏障層的堆疊結構。該主動層的發光材料可根據發光波長而改變，例如：藍光波長、紅光波長、或綠光波長。
該第二電極係提供該第二導電型半導體層上。該第二電極連接該第二導電型半導體層。
此外，發光晶片300可包含一水平型LED。在此例中，可能需要一額外引線以使該水平型LED與該第一引線電極210連接。
發光晶片300可透過一凸塊而連接第一引線電極210，且可透過一引線而連接第二引線電極220。特別是，發光晶片300可直接地提供在第一引線電極210上。
此外，實施例並非限定於上述的連接法，但發光晶片300可透過一引線接合法、一晶片結合法、或一覆晶接合法而連接引線電極210、220。此外，實施例並不限定於此。
光轉換部400係提供在空腔C中。光轉換部400係提供在發光晶片300之上。光轉換部400係提供覆蓋部500之下方。光轉換部400係提供覆蓋部500的下表面上。光轉換部400可直接提供在覆蓋部500的下表面上。光轉換部400係與該發光晶片間隔開。因此，一空氣層係被提供在光轉換部400和該發光晶片之間。
該空氣層可作為一絕熱層。因此，得以防止從發光晶片300產生的熱被傳輸至光轉換部400。因此，根據實施例之發光二極體封裝件能防止光轉換部400由於發光晶片300所發出的熱而變質。
光轉換件400接收從該些發光二極體300發出的光以轉換光的波長。舉例而言，如果發光晶片300發出藍光，光轉換件400可轉換該藍光成為綠光和紅光。詳細而言，光轉換件400可轉換部份的藍光成為具有波長在約520nm至約560nm之範圍的綠光，而其它部份的藍光成為具有波長在630nm至約660nm之範圍的紅光。
此外，如果發光晶片300發出UV光，光轉換部400可轉換該UV光成為藍光、綠光以及紅光。詳細而言，光轉換部400可轉換部份的UV光成為具有波長在約430nm至約470nm之範圍的藍光、部份的UV光成為具有波長在約520nm至約560nm之範圍的綠光、以及部份的UV光成為具有波長在約630nm至約660nm之範圍的紅光。
因此，白光可藉由穿越過光轉換部400的光和被光轉換部400轉換的光所產生。詳細而言，該發光二極體能透過藍光、綠光和紅光的結合而輸出白光。
此外，根據實施例的發光二極體可僅發出紅光或僅發出綠光。
詳細而言，光轉換部400包含一基質410以及複數個光轉換粒子420。
基質410係提供在覆蓋部500的下表面上。詳細而言，基質410可粘著至覆蓋部500的下表面。基質410可包含一材料，例如：矽基樹脂。
該些光轉換粒子420係提供在基質410中。詳細而言，光轉換粒子420可均勻地分散在基質410中。
該些光轉換粒子420轉換入射之光的波長。詳細而言，該些光轉換粒子420可轉換從發光晶片300所發出之光的波長。
該些光轉換粒子420轉換從發光晶片300發出的藍光成為綠光或紅光。詳細而言，部份的光轉換粒子420可轉換藍光成為具有波長在約520nm至約560nm之範圍的綠光、以及部份的光轉換粒子420可轉換藍光成為具有波長在約630nm至約660nm之範圍的紅光。
此外，該些光轉換粒子420能轉換從發光晶片300發出的UV光成為藍光、綠光以及紅光。也就是說，部份的光轉換粒子420轉換該UV光成為具有波長在約430nm至約470nm之範圍的藍光，而其它部份的光轉換粒子420轉換該UV光成為具有波長在約520nm至約560nm之範圍的綠光。再者，部份的光轉換粒子420轉換該UV光成為具有波長在約630nm至約660nm之範圍的紅光。
光轉換粒子420可包含複數個量子點。
該些量子點可包含核心奈米晶體(core nano-crystals)和圍繞著核心奈米晶體的殼體奈米晶體(shell nano-crystals)。此外，該些量子點可包含有機配位體(organic ligands)結合至殼體奈米晶體。再者，該些量子點可包含有機塗覆層(organic coating layers)圍繞著該殼體奈米晶體。
該些殼體奈米晶體可被製備為至少兩層的形式。該些殼體奈米晶體係形成在該些核心奈米晶體的表面。該些量子點藉由該些殼體奈米晶體形成一殼體層而延長入射到該些核心奈米晶體之光的波長，藉以改善光效率。
該些量子點可包含II族化合物半導體、III族化合物半導體、V族化合物半導體、VI族化合物半導體中的至少一者。更詳細而言，該些殼體奈米晶體可包括硒化鎘(CdSe)、磷化銦鎵(InGaP)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、硫化鋅(ZnS)、碲化汞(HgTe)或硫化汞(HgS)。此外，該些殼體奈米晶體可包括銅鋅硫(CuZnS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、硫化鋅(ZnS)、碲化汞(HgTe)或硫化汞(HgS)。量子點可具有約1nm至10nm之範圍的粒徑。
從該些量子點發出之光的波長可根據量子點的大小，或於合成過程中，分子簇化合物(molecular cluster compound)和奈米粒子前驅物(nano-particle precursor)之間的莫耳比(molar ratio)而被調整。有機配位體可包含吡啶(pyridine)、疏基甲醇(mercapto alcohol)、硫基(thiol)、膦(phosphine)、膦氧化物(phosphine oxide)。該有機配位體可穩定在合成程序後不穩定的量子點。懸空鍵(dangling bond)可形成在價能帶，而量子點可能因該懸空鍵而不穩定。然而，由於有機配位體的一端部為非鍵結狀態，該有機配位體的一端部係與該懸空鍵結合，藉以穩定量子點。
特別是，如果量子點的尺寸小於一激子(exciton)的波耳半徑(Bohr radius)時(該激子由光和電所激發之電子和電洞所組成)，將可能出現量子侷限效應，因此量子點可具有個別能階。因此，能帶間隙的大小係被改變。此外，電荷係被限制在量子點中，因此發光效率得以改善。
不同於一般螢光顏料，量子點的螢光波長可依據粒子的大小而改變。詳細而言，當該粒子的尺寸縮減時，該光具有較短的波長。因此，可藉由調整粒子的大小而產生具有可見光之波長頻帶的螢光。此外，量子點呈現出的吸光係數(extinction coefficient)高於一般螢光顏料吸光係數的100至1000倍，且相較於一般螢光顏料，其具有優良的量子產率。因此，得以產生強烈的螢光。
該些量子點能透過化學品濕法(chemical wet scheme)而合成。該化學品濕法係藉由浸漬先驅物在有機溶液中來成長顆粒。根據化學品濕法，得以合成該些量子點。
覆蓋部500覆蓋光轉換部400。此外，覆蓋部500覆蓋本體部100。詳細而言，覆蓋部500可覆蓋外壁120的上表面。換句話說，覆蓋部500覆蓋空腔C的入口。換句話說，覆蓋部500封閉空腔C的內部。
覆蓋部500粘著至本體部100。詳細而言，一黏著層510插設在覆蓋部500和本體部100之間，且覆蓋部500透過黏著層510而粘著至本體部100。覆蓋部500可粘著至外壁120的上表面。
覆蓋部500的厚度可約0.7mm至約2.0mm的範圍。
覆蓋部500係為透明。覆蓋部500可具有一板形。此外，覆蓋部500可具有一透鏡形。構成覆蓋部500的材料可包含玻璃或塑膠。
如果覆蓋部500包含玻璃，覆蓋部500能保護光轉換粒子420免於氧氣及/或濕氣的影響。
覆蓋部500保護光轉換部400遭受物理及/或化學衝擊(shock)。詳細而言，覆蓋部500能防止濕氣及/或氧氣滲入光轉換部400的上表面、下表面、以及側邊。
因此，覆蓋部500能防止光轉換粒子420因濕氣及/或氧氣而變質，所以根據實施例的發光二極體封裝件之可靠度和耐用性得以改善。
如上所述，根據實施例的發光裝置封裝件，光轉換部400係被提供在覆蓋部500的下表面上。此外，光轉換部400係與發光晶片300間隔開。換句話說，在光轉換部400被提供在覆蓋部500的下表面之後，覆蓋部500可粘著至本體部100。
換句話說，光轉換部400並不直接形成本體部100中，而是形成在覆蓋部500上。在此例中，覆蓋部500可具有一平的下表面，而光轉換部400可輕易地形成在該平的表面上。
因此，根據實施例的發光裝置封裝件得以容易製造，而無需注入光轉換部400至空腔C的製程。
此外，由於光轉換部400與發光晶片300間隔開，從發光晶片300發出的熱得以防止被傳輸至光轉換部400。特別是，從發光晶片300產生的熱可藉由一熱傳導層以及一絕熱層在一側方向被排出。
因此，根據實施例的發光裝置封裝件得以防止光轉換部400因熱而變質。因此，根據實施例的發光裝置封裝件可表現出改善的可靠度以及改善的耐用性。
圖3和圖4繪示根據實施例之發光二極體封裝件的製造流程剖視圖。在後文中，根據實施例的製造方法將以參照發光二極體封裝件的內容進行描述。換句話說，發光二極體封裝件被用來作為製造方法的描述。
參閱圖3，形成覆蓋部500和光轉換部400。包含複數個光轉換粒子420的樹脂合成物係塗佈在覆蓋部500上，且固化該塗佈的樹脂合成物，藉以形成光轉換部400。
複數個覆蓋部500可一次形成。舉例而言，在塗佈複數個光轉換部400在一透明電極上之後，切割該透明電極，因此可形成該些覆蓋部500。
參閱圖4，提供本體部100和引線電極210、220。本體部100可透過一雙重注入製程(double injection process)而形成。之後，發光晶片300係安裝在本體部100內。發光晶片300可藉由一引線而與該引線電極連接。
之後，黏著層510形成在本體部100的上表面上。黏著層510可塗佈本體部100之外壁120的上表面上。
之後，覆蓋部500粘著至本體部100。覆蓋部500粘著至本體部100以此方式將使覆蓋部500覆蓋本體部100的空腔C並封閉該空腔C。
因此，可製造出根據實施例的發光二極體封裝件。
如上所述，光轉換部400形成在覆蓋部500上而而非直接形成在該本體部100中。在此例中，覆蓋部500可具有一平的下表面，所以光轉換部400可容易地形成在一平的表面上。光轉換部400係印製在該透明電板上，且該透明板可切割成複數個覆蓋部500。具有上述結構的覆蓋部500可粘著至本體部100。
因此，根據實施例的發光裝置封裝件可容易地形成，且無需注入光轉換部400至空腔C的製程。
圖5繪示根據第二實施例之發光二極體封裝件的示意圖。圖6繪示沿著圖5中線B-B’的剖視圖。在後文中，實施例的描述將以參照發光二極體封裝件及其製造方法的內容進行描述。換句話說，發光二極體封裝件及其製造方法被用來作為本實施例的描述。
參閱圖5，根據實施例的發光二極體封裝件包含一熱傳輸層440以及一散熱部600。
熱傳輸層440係提供在空腔C中。熱傳輸層440係插設在空氣層和發光晶片之間。詳細而言，熱傳輸層440係插設在該空氣層和發光晶片300之間。換句話說，熱傳輸層440插設在該絕熱層和發光晶片300之間。
熱傳輸層440可直接與發光晶片300接觸。熱傳輸層440可傳輸從發光晶片300產生的熱至散熱部600。熱傳輸層440係為透明且能表現出高的熱傳導性。詳細而言，熱傳輸層440表現出高於該空氣層的熱傳導性。
構成熱傳輸層440的材料可包含透明聚合物。在此例中，熱傳輸層440可包含表現出高的熱傳導性的粒子。換句話說，熱傳輸層440可包含金屬粒子或金屬複合粒子。
熱傳輸層440係與光轉換部400間隔開。因此，該空氣層插設在熱傳輸層440和光轉換部400之間。
反射層130係形成在外壁120的內側邊上。反射層130表現出高的反射性。反射層130可包含金屬。此外，反射層130可包含一白色塗料層(white painted layer)。
散熱部600係連接熱傳輸層440。詳細而言，散熱部600可透過反射層130而連接熱傳輸層440。此外，散熱部600可直接連接熱傳輸層440。散熱部600接收自熱傳輸層440的熱並將之排出至外部。散熱部600可包含一材料表現出高的熱傳導性。散熱部600可包含金屬，例如：鋁(Al)或銅(Cu)。
散熱部600可穿透外壁120。換句話說，散熱部600可穿過外壁120而從空腔C的內部延伸至本體部100的外部。部份的散熱部600係暴露到本體部100的外面。
散熱部600可穿透基部110。換句話說，散熱部600可從空腔C的下表面向下延伸，因此散熱部600可暴露至本體部100的外面。
如上所述，從發光晶片300向上散出的熱可藉由熱傳輸層440和散熱部600從一側方發散出。
因此，根據實施例的發光二極體封裝件可有效保護光轉換粒子420免受發光晶片300所發出之熱的影響。因此，根據實施例的發光二極體封裝件得以表現出改善的可靠度和耐用性。
圖7繪示根據第三實施例之發光二極體封裝件的一剖視圖。實施例將參照上述發光二極體封裝件及其製造方法來進行說明。換句話說，發光二極體封裝件及其製造方法將被用來描述本實施例。
參閱圖7，根據本實施例的發光二極體封裝件包含一第一熱傳輸層440、一第一絕熱層450、一第二熱傳輸層460、一第二絕熱層430、以及一保護層470。
第一熱傳輸層440係提供在空腔C中。第一熱傳輸層440覆蓋發光晶片300。第一熱傳輸層440係提供在空腔C的下表面。第一熱傳輸層440表現出高的熱傳導性。第一熱傳輸層440可表現出高於第一絕熱層450和第二絕熱層430的熱傳導性。
構成第一熱傳輸層440的材料可包含透明聚合物。在此例中，第一熱傳輸層440可包含表現出高的熱傳導性的粒子。換句話說，第一熱傳輸層440可包含金屬粒子或金屬複合粒子。
第一絕熱層450係提供在第一熱傳輸層440上。第一絕熱層450可直接與第一熱傳輸層440接觸。第一絕熱層450表現出低的熱傳導性。第一絕熱層450表現出低於第一和第二熱傳輸層440的熱傳導性。
舉例而言，構成第一絕熱層450的材料可包含透明聚合物，例如：矽基樹脂或環氧樹脂基樹脂。第一絕熱層450可包含表現出低熱傳導性的聚合物。此外，第一絕熱層450可包含複數個氣孔(pores)。由於該些氣孔，第一絕熱層450得以表現出低的熱傳導性。
第二熱傳輸層460係提供在第一絕熱層450上。第二熱傳輸層460可直接提供在第一絕熱層450的上表面上。第二熱傳輸層460表現出高的熱傳導性。舉例而言，第二熱傳輸層460表現出高於第一和第二絕熱層450、430的熱傳導性。
構成第二熱傳輸層460的材料可包含透明聚合物。在此例中，第二熱傳輸層460可包含表現出高熱傳導性的粒子。換句話說，第二熱傳輸層460可包含金屬粒子或金屬複合粒子。
第二絕熱層430係提供在第二熱傳輸層460上。第二絕熱層430表現出低的熱傳導性。第二絕熱層430作為該空氣層。因此，第二絕熱層430表現出低於第一和第二熱傳輸層440、460的熱傳導性。
如上所述，複數個熱傳輸層440、460和複數個絕熱層430、450係為交替提供。雖然圖式中顯示兩熱傳輸層440、460和兩絕熱層430、450，但實施例並不限定於此。因此，更多的熱傳輸層440和絕熱層可被交替提供。舉例而言，在根據實施例的發光二極體封裝件，一第三絕熱層可提供在第二絕熱層430和第二熱傳輸層460之間，而一第三熱傳輸層可提供在第二絕熱層430和該第三絕熱層之間。
此外，散熱部600係連接第一和第二熱傳輸層440、460。因此，散熱部600可將自第一和第二熱傳輸層440、460的熱排出到外面。
此外，可提供複數個散熱部600，且其中一散熱部600可被提供在對應第一熱傳輸層440的位置。換句話說，第一熱傳輸層440可主要地傳輸熱至相關的散熱部600。此外，其它散熱部600可被提供在對應第二熱傳輸層460的位置。換句話說，第二熱傳輸層460可主要地傳輸熱至散熱部600。
特別是，由於該些熱傳輸層440和該些絕熱層係為交替提供，且散熱部600係提供在外壁120，自發光晶片300發出的熱可從一側方向傳輸。
因此，根據本發明的發光二極體封裝件，光轉換粒子420得以防止因熱而變質。
此外，保護層470覆蓋光轉換部400。此外，保護層470係提供在光轉換部400的下方。保護層470係提供在光轉換部400的一下表面和一側邊上。此外，保護層470係提供在覆蓋部500的下表面上。保護層470可直接與覆蓋部500的下表面接觸。
此外，保護層470可包含一無機材料。保護層470可包含一透明無機材料，例如：氧化矽。此外，覆蓋部500可包含玻璃。因此，介於保護層470和覆蓋部500之間的黏著強度可更為增加。
如上所述，保護層470可封閉光轉換部400。換句話說，保護層470直接與覆蓋部500接觸，並同時將光轉換部400夾設於其中。因此，保護層470和覆蓋部500可有效地封閉光轉換部400。
因此，覆蓋部500和保護層470可有效地防止包含在光轉換部400內的光轉換粒子420由於外部濕氣及/或外部氧氣而變質。
因此，根據實施例的發光二極體封裝件得以表現出改善的可靠度和改善的耐用性。
在本說明書中所提到的“一實施例”、“實施例”、“範例實施例”等任何的引用，代表本發明之至少一實施例中包括關於該實施例的一特定特徵、結構或特性。此類用語出現在文中多處但不盡然要參考相同的實施例。此外，在特定特徵、結構或特性的描述關係到任何實施例中，皆認為在熟習此技藝者之智識範圍內其利用如此的其他特徵、結構或特徵來實現其它實施例。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技藝者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
100‧‧‧本體部
110‧‧‧基部
120‧‧‧外壁
130‧‧‧反射層
210、220‧‧‧引線電極
300‧‧‧發光晶片
400‧‧‧光轉換部
410‧‧‧基質
420‧‧‧光轉換粒子
430‧‧‧第二絕熱層
440‧‧‧熱傳輸層
450‧‧‧第一絕熱層
460‧‧‧第二熱傳輸層
470‧‧‧保護層
500‧‧‧覆蓋部
510‧‧‧黏著層
600‧‧‧散熱部
C‧‧‧空腔
圖1繪示根據實施例之一發光二極體封裝件的示意圖；圖2為沿著圖1中線A-A’的剖視圖；圖3和圖4繪示根據實施例之發光二極體封裝件的製程剖視圖；圖5繪示根據第二實施例之發光二極體封裝件的示意圖：圖6繪示沿著圖5中線B-B’的剖視圖；以及圖7繪示根據第三實施例之發光二極體封裝件的剖視圖。
100‧‧‧本體部
110‧‧‧基部
120‧‧‧外壁
210、220‧‧‧引線電極
300‧‧‧發光晶片
400‧‧‧光轉換部
410‧‧‧基質
420‧‧‧光轉換粒子
430‧‧‧第二絕熱層
500‧‧‧覆蓋部
510‧‧‧黏著層
C‧‧‧空腔

权利要求:
Claims (20)
[1] 一種發光裝置封裝件，包含：一本體部，其中該本體部具有一空腔；一發光晶片在該空腔中；一覆蓋部以覆蓋該空腔；以及一光轉換部提供在該覆蓋部的下表面上且同時與該發光晶片間隔開。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中該光轉換部直接與該覆蓋部的該下表面接觸。
[3] 如申請專利範圍第2項所述之發光裝置封裝件，其中該光轉換部包含：一基質直接與該覆蓋部的該下表面接觸；以及複數個光轉換粒子在該基質中。
[4] 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，更包含一絕熱層插設在該發光晶片和該光轉換部之間。
[5] 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置封裝件，更包含一熱傳輸層插設在該絕熱層和該發光晶片之間，且表現出高於該絕熱層的熱傳導性。
[6] 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，更包含一保護層提供在該覆蓋部的該下表面、該光轉換部的一側邊、以及該光轉換部的一下表面上。
[7] 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝件，其中該保護層直接與該覆蓋部接觸。
[8] 如申請專利範圍第7項所述之發光裝置封裝件，其中該覆蓋部和該保護層包含一無機材料。
[9] 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，更包含一黏著層插設在該覆蓋部和該本體部之間以粘著該覆蓋部和該本體部。
[10] 一種發光裝置封裝件，包含：一發光晶片；一熱傳導層在該發光晶片上；一絕熱層提供在該熱傳導層上，該絕熱層表現出低於該熱傳導層的熱傳導性；一光轉換部在該絕熱層上；以及一散熱部與該熱傳導層連接。
[11] 如申請專利範圍第10項所述之發光裝置封裝件，其中該絕熱層包含一空氣層。
[12] 如申請專利範圍第10項所述之發光裝置封裝件，其中該熱傳導層包含透明聚合物和提供在該透明聚合物中的複數個金屬粒子或金屬複合粒子。
[13] 如申請專利範圍第10項所述之發光裝置封裝件，更包含一本體部容置該發光晶片和該熱傳導層，其中該本體部包含：一基部在該發光晶片之下方；以及一外壁從該熱傳導層的一下部向上延伸且圍繞該熱傳導層，以及其中該散熱部穿透該外壁。
[14] 如申請專利範圍第13項所述之發光裝置封裝件，更包含一反射層在該外壁的一內表面上，其中該散熱部係透過該反射層而與該熱傳導層連接。
[15] 如申請專利範圍第10項所述之發光裝置封裝件，更包含一覆蓋部提供在該光轉換部上，其中該絕熱層係提供在該光轉換部的一下表面、該光轉換部的一側邊、以及該覆蓋部的一下表面上。
[16] 一種發光裝置封裝件，包含：一發光晶片；一第一熱傳導層在該發光晶片上；一第一絕熱層在該第一熱傳導層上；一第二熱傳導層在該第一絕熱層上；一第二絕熱層在該第二熱傳導層上；以及一光轉換部在該第二絕熱層上。
[17] 如申請專利範圍第16項所述之發光裝置封裝件，更包含一第三熱傳導層插設在該第二絕熱層和該光轉換部之間；以及一第三絕熱層插設在該第三熱傳導層和該光轉換部之間。
[18] 如申請專利範圍第16項所述之發光裝置封裝件，其中該第一絕熱層或該第二絕熱層包含一空氣層。
[19] 如申請專利範圍第16項所述之發光裝置封裝件，更包含一散熱部連接該第一熱傳導層和該第二熱傳導層。
[20] 如申請專利範圍第19項所述之發光裝置封裝件，更包含一反射層提供在該第一熱傳導層的側邊、該第一絕熱層、該第二熱傳導層、以及該第二絕熱層，其中該第一熱傳導層和該第二熱傳導層係透過該反射層而與該散熱部連接。

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